Dynamic Random Access Memory
D램은 데이터를 일시적으로 저장하는 휘발성 반도체 메모리로, 전원이 공급되는 동안에만 데이터를 유지하며 전원이 차단되면 저장된 데이터가 모두 사라지는 것이 특징이다.
D램은 정보를 축전기(capacitor)에 전하 형태로 저장하는 구조를 사용한다. 시간이 지나면 전하가 자연스럽게 감소하므로 일정한 주기로 데이터를 다시 충전하는 리프레시(Refresh) 과정이 필요하다. 이러한 특성 때문에 정적 램(SRAM)보다 속도는 다소 느리지만 집적도가 높고 제조 비용이 낮아 대용량 메모리 구현에 유리하다.
D램은 컴퓨터와 서버의 주기억장치(RAM)를 비롯해 스마트폰, 그래픽카드, 게임기, 자동차, 산업용 장비 등 다양한 전자기기에 사용된다. 최근에는 인공지능(AI)과 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장이 성장하면서 GPU와 함께 사용되는 고대역폭메모리(HBM)가 차세대 D램 제품으로 주목받고 있다.
현재 D램 시장은 삼성전자(Samsung Electronics), SK하이닉스(SK hynix), 마이크론 테크놀로지(Micron Technology)가 주도하고 있으며, 이들 기업이 세계 D램 시장의 대부분을 공급하고 있다. 중국의 창신메모리(CXMT)도 D램 생산을 확대하며 글로벌 시장에서 점차 영향력을 높이고 있다.
참조어: SRAM(Static Random Access Memory), 낸드 플래시(NAND Flash), 램(RAM), 고대역폭메모리(HBM), GPU(Graphics Processing Unit), 반도체(Semiconductor), 메모리 반도체(Memory Semiconductor), 리프레시(Refresh)
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