경제·금융 용어사전

ASME 코드(ASME Code)는 미국기계학회(ASME, American Society of Mechanical Engineers)가 제정한 기계·압력설비의 설계, 제작, 검사, 시험 및 품질보증에 관한 국제 기술기준이다.

ASME 코드는 보일러, 압력용기, 배관, 원자력설비, 승강기 등 다양한 산업설비의 안전성과 신뢰성을 확보하기 위해 마련된 기술기준이다. 전 세계 발전소와 석유화학시설, 플랜트, 원자력발전소 등에서 널리 적용되며, 설계부터 제작, 설치, 검사, 유지관리까지 전 과정에 필요한 기술요건을 규정하고 있다.

가장 널리 활용되는 기준은 보일러 및 압력용기 규격(Boiler and Pressure Vessel Code, BPVC)으로, 압력용기와 원자력설비의 설계 및 제작 기준을 포함한다. 특히 Section III는 원자력발전소 구성품의 설계·제작 기준을, Section V는 비파괴검사 기준을, Section IX는 용접 및 용접사 자격 기준을 규정하고 있다.

우리나라의 전력산업기술기준(KEPIC)은 ASME 코드와 IEEE 등 국제 기술기준을 바탕으로 국내 법령과 산업 여건을 반영해 제정됐으며, 원자력 및 전력설비의 설계·제작·시공·검사 분야에서 ASME 코드와 함께 널리 활용되고 있다.

창신메모리(CXMT)는 중국의 메모리반도체 기업으로, D램(DRAM)을 개발·생산하는 중국 최대 메모리반도체 제조업체 중 하나이다.

창신메모리는 2016년 중국 안후이성 허페이에서 설립됐으며, 중국 정부와 지방정부의 지원을 바탕으로 메모리반도체의 국산화를 추진하고 있다. 주요 제품은 PC, 서버, 모바일기기, 자동차, 산업용 장비 등에 사용되는 D램으로, 중국의 반도체 자립 전략을 대표하는 기업으로 평가받고 있다.

창신메모리는 공정 미세화와 생산능력 확대를 통해 글로벌 D램 시장에서 경쟁력을 높이고 있으며, 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 기존 메모리 기업들과 경쟁하고 있다. 다만 첨단 반도체 제조장비와 핵심 기술에 대한 미국의 수출통제로 인해 최첨단 공정 개발에는 일정한 제약을 받고 있는 것으로 평가된다.

2026년 7월 27일 창신메모리는 중국 상하이증권거래소 과학혁신판(STAR Market)에 상장했다. 기업공개(IPO)를 통해 약 579억 위안(약 86억 달러)을 조달하며 2026년 아시아 최대 규모의 IPO를 기록했으며, 상장 첫날 주가가 공모가 대비 약 466% 상승하면서 시가총액은 3조2천억~3조3천억 위안(약 690조~720조 원)에 달했다.

이는 중국 A주 시장(상하이·선전거래소) 시가총액 1위에 해당하는 규모로, 중국의 반도체 자립 전략과 인공지능(AI) 확산에 따른 메모리반도체 산업의 성장 가능성에 대한 시장의 높은 기대를 보여주는 상징적인 사건으로 평가된다. 다만 같은 날 삼성전자와 SK하이닉스의 시가총액은 각각 약 1,485조 원과 약 1,294조 원을 기록했다.

D램은 데이터를 일시적으로 저장하는 휘발성 반도체 메모리로, 전원이 공급되는 동안에만 데이터를 유지하며 전원이 차단되면 저장된 데이터가 모두 사라지는 것이 특징이다.

D램은 정보를 축전기(capacitor)에 전하 형태로 저장하는 구조를 사용한다. 시간이 지나면 전하가 자연스럽게 감소하므로 일정한 주기로 데이터를 다시 충전하는 리프레시(Refresh) 과정이 필요하다. 이러한 특성 때문에 정적 램(SRAM)보다 속도는 다소 느리지만 집적도가 높고 제조 비용이 낮아 대용량 메모리 구현에 유리하다.

D램은 컴퓨터와 서버의 주기억장치(RAM)를 비롯해 스마트폰, 그래픽카드, 게임기, 자동차, 산업용 장비 등 다양한 전자기기에 사용된다. 최근에는 인공지능(AI)과 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장이 성장하면서 GPU와 함께 사용되는 고대역폭메모리(HBM)가 차세대 D램 제품으로 주목받고 있다.

현재 D램 시장은 삼성전자(Samsung Electronics), SK하이닉스(SK hynix), 마이크론 테크놀로지(Micron Technology)가 주도하고 있으며, 이들 기업이 세계 D램 시장의 대부분을 공급하고 있다. 중국의 창신메모리(CXMT)도 D램 생산을 확대하며 글로벌 시장에서 점차 영향력을 높이고 있다.

참조어: SRAM(Static Random Access Memory), 낸드 플래시(NAND Flash), 램(RAM), 고대역폭메모리(HBM), GPU(Graphics Processing Unit), 반도체(Semiconductor), 메모리 반도체(Memory Semiconductor), 리프레시(Refresh)

심자외선(DUV)은 파장 약 190~365나노미터(㎚) 범위의 자외선을 말한다. 반도체 제조에서는 이 빛을 광원으로 이용해 웨이퍼에 미세한 회로 패턴을 형성하는 노광(Lithography) 공정에 사용된다.

DUV는 일반 자외선보다 파장이 짧아 매우 미세한 회로를 구현할 수 있다. 반도체 공정에서는 주로 248㎚의 크립톤 플루오라이드(KrF)와 193㎚의 아르곤 플루오라이드(ArF) 엑시머 레이저가 광원으로 사용된다.

반도체 회로가 미세화되면서 DUV 노광은 멀티패터닝(Multi-patterning) 기술과 결합해 첨단 공정에도 활용되고 있다. 이후 13.5㎚ 파장의 극자외선(EUV) 노광기술이 등장했지만, DUV는 메모리 반도체와 차량용 반도체, 전력반도체, 이미지센서, 성숙 공정 기반 시스템 반도체 생산에서 여전히 핵심 기술로 활용되고 있다.

DUV 노광장비는 심자외선(DUV)을 광원으로 이용해 반도체 웨이퍼에 미세한 회로 패턴을 형성하는 반도체 제조장비이다. 포토마스크의 회로 패턴을 감광재(Photoresist)가 도포된 웨이퍼에 전사하는 핵심 설비로, 반도체 생산에서 가장 널리 사용되는 노광장비이다.

DUV 노광장비는 주로 248㎚(KrF)와 193㎚(ArF) 엑시머 레이저를 사용하며, 최첨단 장비는 ArF 침지(Immersion) 기술을 적용해 높은 해상도와 정밀도를 구현한다. 극자외선(EUV) 노광장비보다 제조 및 운영 비용이 낮고 생산성이 높아 현재도 대부분의 반도체 공정에서 활용되고 있으며, EUV 공정에서도 일부 레이어는 DUV 장비가 함께 사용된다.

DUV 노광장비 시장은 네덜란드의 ASML이 세계 시장을 주도하고 있으며, 일본의 니콘(Nikon)과 캐논(Canon)도 일부 장비를 공급하고 있다.

2026년 7월 27일 중국은 자체 개발한 침지형(ArF Immersion) DUV 노광장비의 생산 개시를 발표했다. 이는 중국 반도체 장비 국산화의 중요한 진전으로 평가됐으며, 글로벌 반도체 장비 시장과 관련 기업들의 주가에도 영향을 미쳤다. 발표 이후 ASML을 비롯해 Applied Materials, Lam Research, KLA 등 주요 반도체 장비 기업의 주가가 하락했으며, 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 반도체 기업도 중국 반도체 산업의 경쟁력 강화 가능성이 부각되면서 투자심리에 영향을 받았다. 다만 해당 장비의 생산성, 정밀도, 신뢰성은 향후 추가적인 검증이 필요한 것으로 평가된다.

적용사례:
- D램(DRAM), 낸드 플래시(NAND Flash) 등 메모리 반도체 제조
- 차량용 반도체 및 전력반도체 생산
- CMOS 이미지센서 제조
- 성숙 공정 기반 시스템 반도체 생산
- EUV 공정과 병행되는 첨단 반도체 노광 공정

울트라 스텝(Ultra Step)은 중앙은행이 기준금리를 한 번에 1.00%포인트(100bp) 인상하는 것을 말한다.

울트라 스텝은 통상적인 기준금리 조정 폭인 0.25%포인트(25bp)를 크게 웃도는 매우 이례적인 금리 인상 조치로, 중앙은행은 높은 인플레이션을 억제하거나 물가안정을 위해 강력한 통화긴축이 필요한 경우 울트라 스텝을 단행하기도 한다.

기준금리를 0.25%포인트(25bp) 인상하는 것은 베이비 스텝(Baby Step), 0.50%포인트(50bp) 인상하는 것은 빅 스텝(Big Step), 0.75%포인트(75bp) 인상하는 것은 **자이언트 스텝(Giant Step)**이라고 부른다. 이러한 용어는 중앙은행의 기준금리 인상 폭을 직관적으로 표현하기 위해 금융시장에서 널리 사용된다.

중앙은행이 기준금리를 0.25%포인트(25bp) 인상하는 것을 의미한다.

한편 기준금리를 0.50%포인트(50bp) 인상하는 경우는 빅 스텝(Big Step), 0.75%포인트(75bp) 인상하는 경우는 자이언트 스텝(Giant Step), 1.00%포인트(100bp) 인상하는 경우는 울트라 스텝(Ultra Step)이라고 부른다.

전력설비, 특히 원자력발전소의 안전성과 신뢰성을 확보하기 위해 일정한 자격을 갖춘 조직과 인력이 전력산업기술기준(KEPIC, Korea Electric Power Industry Code)에서 정한 업무를 수행할 수 있도록 대한전기산업연합회가 그 자격을 심사·인증하는 제도이다.

KEPIC 인증은 발전소와 전력설비의 설계, 제작, 시공, 검사, 시험, 용접, 비파괴검사, 품질보증 등 전력산업 전반의 기술 활동이 KEPIC 기준에 적합하게 수행될 수 있도록 운영되는 인증제도이다. 인증을 받은 조직은 해당 분야의 기술능력과 품질보증 체계를 갖춘 것으로 인정되며, 원자력발전소를 비롯한 주요 전력설비의 안전성과 품질 확보를 위한 기준으로 활용된다.

KEPIC은 미국기계학회(ASME)와 미국전기전자학회(IEEE) 등의 국제 기술기준을 바탕으로 국내 실정에 맞게 제정·운영되는 전력산업 기술기준이다. KEPIC 인증은 대한전기산업연합회 KEPIC 본부가 주관·운영하고 있다.

빅 스텝(Big Step)은 중앙은행이 기준금리를 한 번에 0.50%포인트(50bp) 인상하는 것을 말한다.

빅 스텝은 통상적인 기준금리 조정 폭인 0.25%포인트(25bp)보다 큰 폭의 금리 인상으로, 중앙은행은 높은 인플레이션을 억제하거나 물가안정을 위해 기준금리를 보다 빠르게 인상할 필요가 있는 경우 빅 스텝을 단행하기도 한다.

기준금리를 0.25%포인트(25bp) 인상하는 것은 베이비 스텝(Baby Step), 0.75%포인트(75bp) 인상하는 것은 자이언트 스텝(Giant Step), 1.00%포인트(100bp) 인상하는 것은 **울트라 스텝(Ultra Step)**이라고 부른다. 이러한 용어는 중앙은행의 기준금리 인상 폭을 직관적으로 표현하기 위해 금융시장에서 널리 사용된다.

레버리지 ETF는 선물, 스와프 등 파생상품과 차입 등을 활용해 기초지수의 일일 수익률을 일정 배수(보통 2배 또는 3배)로 추종하도록 설계된 상장지수펀드(ETF)다. 예를 들어 기초지수가 하루 1% 오르면 2배 레버리지 ETF는 약 2%의 수익을, 반대로 1% 하락하면 약 2%의 손실을 목표로 한다.

레버리지 ETF는 적은 자금으로 투자 효과를 확대할 수 있어 상승장이 예상될 때 단기 투자나 헤지 전략에 활용된다. 그러나 지수의 일일 변동률을 기준으로 매일 포트폴리오를 재조정(리밸런싱)하는 구조이기 때문에 장기간 보유하면 실제 누적 수익률이 단순히 기초지수 상승률의 배수와 달라질 수 있다. 특히 지수가 상승과 하락을 반복하는 횡보장에서는 기초지수가 제자리로 돌아와도 레버리지 ETF는 손실을 보는 변동성 손실(Volatility Decay) 또는 음(-)의 복리효과가 발생할 수 있으며, 시장 변동성이 클수록 이러한 괴리는 더욱 커진다. 운용보수와 선물 롤오버 비용, 현물·선물 간 가격 차이(베이시스) 등도 추적오차를 발생시키는 요인이다.

국내에서는 코스피200, 코스닥150 등 주요 지수를 추종하는 레버리지 ETF가 거래되고 있으며, 2026년에는 삼성전자·SK하이닉스 등 개별 종목을 기초자산으로 하는 단일종목 레버리지 ETF도 상장됐다. 해외에서도 주가지수뿐 아니라 반도체, 인공지능(AI), 원자재, 채권 등 다양한 자산을 기초로 한 레버리지 ETF가 거래되고 있다.

레버리지 ETF는 높은 수익 가능성만큼 손실 위험도 큰 고위험 상품으로 분류된다.
국내에서는 투자자 보호를 위해 개인투자자가 레버리지 ETF·ETN에 투자할 경우 금융당국이 정한 사전교육과 기본예탁금 등 일정한 투자자 요건을 충족해야 한다. 특히 단일종목 레버리지 ETF·ETN은 2026년 7월 31일부터 현금 3,000만 원의 기본예탁금 제도가 적용돼, 충분한 투자 여력을 갖춘 개인투자자만 신규 투자와 추가 매수를 할 수 있도록 했다.