한국경제

R램

Resistance RAM

산화물에 가하는 전압에 의해 전류가 흐르는 통로가 생성되고 없어짐에 따른 재료의 저항 변화를 이용해 정보를 저장하는 메모리. 2011년 7월 삼성전자는 낸드플래시보다 데이터처리속도가 1000배 빠른 R램 기술을 개발했으며 2016년부터 양산할 계획이다.