SK하이닉스 "HBM 성공 비결은 15년 이상 갈고닦은 기술력"

박명재 HBM설계 부사장 "온전히 우리 힘으로 개발"

"HBM 기점으로 고부가 사업 확장…파운드리 협업 중요"

(서울=연합인포맥스) 김학성 기자 = SK하이닉스[000660]는 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 주도권을 잡은 비결이 15년 이상 갈고 닦은 고유의 기술력에 있다고 강조했다.

박명재 SK하이닉스 HBM설계 담당 부사장은 27일 자사 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 "2010년대 중후반 HBM 설계 조직은 공공연히 오지로 불렸다"며 이렇게 말했다.

그는 "HBM이 SK하이닉스 고유의 기술력을 보여줄 기회이며, 최고의 제품만 개발하면 이를 활용할 서비스는 자연스레 생길 것이라고 확신했다"며 "이것이 후속 제품들의 개발을 밀고 나가는 원동력이 됐다"고 설명했다.

SK하이닉스는 2009년 고성능 메모리 수요가 증가할 것으로 예상해 TSV(Through Silicon Via) 기술 개발에 착수했고, 2013년 세계 최초로 TSV에 기반한 1세대 HBM을 선보였다.

하지만 2010년대에는 필요 이상으로 속도가 빠르고 용량이 큰 HBM의 수요가 많지 않아 업계의 우려가 컸다.

박 부사장은 3세대 HBM인 HBM2E부터 고객이 요구하는 것보다 월등히 높은 수준의 성능을 목표로 개발에 나섰다고 설명했다.

그는 "유관 조직과의 협업으로 난제를 풀고 시너지를 높이는 게 중요했다"며 "현재 기틀이 된 주요 기술들이 모두 이때 기반을 다졌다"고 말했다.

이후 SK하이닉스는 세계 최고 용량인 12단 HBM3를 개발한 지 4개월 만인 지난해 8월 HBM3E를 공개하며 제품이 시장에 나오기까지 걸리는 시간을 크게 줄였다.

박 부사장은 이러한 성공의 비결을 성능과 품질, 시장 대응력에서 찾았다.

그는 SK하이닉스 고유의 MR-MUF 기술로 발열을 줄여 성능을 높였으며, 고객을 대응하는 데에도 노력을 기울였다고 설명했다.

아울러 경쟁사의 HBM팀이 SK하이닉스로 이직해 HBM 개발에 기여했다는 루머에 대해서는 사실이 아니라고 강조했다.

그는 "온전히 우리 힘으로 기술 개발을 해낸 구성원들로서는 자존심에 상처받을 수밖에 없었다"며 "당시 경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없다"고 말했다.

박 부사장은 현재의 위상을 유지하고 강화하기 위해 고객 및 파운드리 업계와의 협업이 중요하다고 밝혔다.

그는 "HBM은 SK하이닉스의 사업 영역을 고부가가치 사업으로 확장한 시발점"이라며 "SK하이닉스가 전체 인공지능(AI) 산업을 이끄는 핵심 기업으로 성장하도록 노력하겠다"고 말했다.

지난 3월부터 HBM3E 양산에 돌입한 SK하이닉스는 다음 세대 제품인 HBM4 양산 시점을 내년으로 앞당긴다고 밝힌 바 있다.

hskim@yna.co.kr