"AI 반도체 거점으로"…SK하이닉스, 용인 클러스터에 9.4조 투자

1기 팹 2027년 5월 준공…이후 3개 팹 추가 건설 예정

HBM·차세대 D램 생산…소부장 협력단지도 구축

(서울=연합인포맥스) 김학성 기자 = SK하이닉스[000660]가 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab·생산시설)과 업무시설 건설에 9조4천억원을 투자한다.

SK하이닉스는 용인 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)와 차세대 D램을 생산하며 이곳을 '글로벌 인공지능(AI) 반도체 생산 거점'으로 성장시킬 계획이다.

SK하이닉스는 26일 이사회를 열어 9조4천115억원 규모의 용인 반도체 클러스터 투자를 결정했다고 밝혔다.

SK하이닉스는 기존 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다.

SK하이닉스는 용인 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM과 차세대 D램을 생산한다.

아울러 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품을 생산할 수 있는 준비에도 나설 방침이다.

SK하이닉스는 이번에 이사회가 투자를 승인한 첫 번째 팹 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공할 계획이다.

경기도 용인시 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성 중인 용인 클러스터는 현재 부지 정지와 인프라 구축 작업이 한창이다.

궁극적으로 SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장(소재·부품·장비) 기업들과 반도체 협력단지를 구축할 예정이다.

이번에 승인된 투자는 첫 팹과 수처리 시설 등 부대시설, 업무지원동, 복지시설 등을 포함한다.

투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다.

또 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 미니팹을 1기 팹 내부에 구축한다.

협력사들은 실제 생산 환경과 유사하게 구현된 미니팹에서 자체 기술 완성도를 높일 수 있다.

김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 "용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장이 될 것"이라며 "대규모 산단 구축을 성공적으로 완수해 국가 경제 활성화에 기여하고자 한다"고 말했다.

hskim@yna.co.kr