美 하버드대, 삼성전자에 특허 소송…"반도체 제조 공정 기술 침해"
삼성 D램·퀄컴 제품 제조서 침해
(서울=연합인포맥스) 김경림 김학성 기자 = 미국의 명문인 하버드대학교가 총장 명의로 삼성전자에 대해 특허 소송을 제기했다. 삼성전자가 하버드대의 허가 없이 자교 연구원이 보유한 반도체 증착 공정 기술을 침해했다는 이유에서다.
9일 미국 텍사스주 동부지방법원과 업계에 따르면 하버드대학교 총장 및 연구진은 지난 5일 삼성전자를 상대로 2개 특허를 침해했다는 이유로 고소했다. 해당 특허는 하버드대 화학과 소속인 로이 고든 교수가 개발한 것으로 알려졌다.
원고 측이 주장하는 특허는 미국 특허번호 '7,973,189'(이하 '189)와 '7,560,581(이하 '581)'에 해당한다. '189 특허의 경우 '구리 연결을 위한 코발트 질화층 및 형성 방법'으로 화학적 증착 기술이다. 이는 반도체 소자에 금속층, 특히 코발트층을 형성하는 방법이 포함된다. 코발트층은 반도체의 여러 부분을 연결해 전기적으로 통신할 수 있는 기능을 한다.
하버드는 삼성전자가 미국 퀄컴의 스냅드래곤8을 제조하는 과정에서 해당 특허를 활용한 공정을 사용해왔다고 주장했다. 삼성전자는 퀄컴의 스냅드래곤 8 제조를 비롯해 다양한 분야에서 끈끈한 파트너십을 보유하고 있다.
이번 소송에 앞서 원고는 삼성전자가 제조한 퀄컴의 스냅드래곤 8을 분해했으며, 여기서 코발트층을 발견했다.
연합인포맥스 캡처
더 광범위한 제품에서 문제가 된 특허는 '581이다. 하버드는 삼성전자의 D램 전반, 특히 LPDDR5X가 해당 특허에 포함된 공정을 사용해 제조됐다고 보고 있다.
해당 기술은 반도체의 게이트와 비트 사이에 텅스텐층을 삽입해 전기 흐름을 제어하고 데이터를 저장하는 데 사용된다.
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원고 측은 해당 침해에 대한 로열티 지급 및 손해 배상, 영구적 가처분 명령을 요구했다.
한 법률 전문가는 "퀄컴이 침해 유도 또는 연루됐을 경우 하버드와 합의 또는 교차 라이선스 계약을 지불하거나 추가 소송에 직면할 수도 있다"며 "현재 주요 피고는 아니지만, 소송 결과와 침해 제품 관련성에 따른 위험을 배제할 수 없다"고 예상했다.
klkim@yna.co.kr
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김경림
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