'10나노 6세대 D램' 선공한 SK하이닉스…칼 가는 삼성전자

SK하이닉스 세계 최초 개발…"차세대 HBM 등에 적용"

삼성전자, 연내 양산에 박차…마이크론도 '다크 호스'

(서울=연합인포맥스) 김학성 기자 = 10나노미터(㎚·10억분의 1미터)급 최신 D램을 둘러싼 메모리 반도체 '빅3'의 경쟁이 치열하다.

SK하이닉스[000660]가 세계 최초로 10나노급 6세대 D램 개발을 발표하며 시장 선점에 나선 가운데 삼성전자[005930]는 한발 빠른 양산으로 반격을 준비한다.

'만년 3등' 마이크론테크놀로지도 고대역폭 메모리(HBM)에서 보여준 저력이 있어 무시하기 어렵다.

30일 SK하이닉스에 따르면 SK하이닉스는 전날 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다고 밝혔다.

10나노급 D램 공정의 세대는 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 순으로 이어진다. 세대를 거듭할수록 보다 미세한 공정이 적용돼 성능과 전력 효율이 높아진다.

SK하이닉스가 이번에 발표한 1c 공정은 11나노로 추정된다. 테크인사이츠에 따르면 2026~2027년 10나노급 7세대 1d를 끝으로 2030년경에는 한 자릿수 노드 시대(0a, 0b, 0c)에 돌입할 전망이다.

SK하이닉스는 앞서 개발한 10나노급 5세대 D램의 플랫폼을 확장하는 방식을 채택하고 극자외선(EUV) 공정에 신소재를 적용하는 등 노력을 통해 이번 제품 개발 시 생산성을 직전 세대 대비 30% 이상 높였다고 설명했다.

SK하이닉스의 10나노급 6세대 D램은 이전 세대와 비교해 동작속도는 11% 빠르고 전력은 9% 적게 소모한다.

SK하이닉스는 해당 제품을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 최대 30% 줄일 수 있을 것으로 전망했다.

김종환 SK하이닉스 D램 개발담당(부사장)은 "1c 기술을 차세대 HBM과 LPDDR6(저전력 D램), GDDR7(그래픽 D램) 등 D램 주력 제품군에 적용할 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 내년 양산을 목표로 하는 HBM4(6세대 HBM)에 1b D램을, 7세대 HBM인 HBM4E에 1c D램을 적용할 것으로 예상된다.

SK하이닉스는 올해 안에 1c DDR5 양산 준비를 마치고 내년 본격적인 양산에 돌입하겠다고 밝혔다.

30년 넘게 메모리 반도체 시장 점유율 1위를 지켜온 삼성전자는 올해 안에 10나노급 6세대 D램 양산에 돌입할 계획이다.

아직 공식적으로 개발 사실을 공개하지는 않았지만, 연내 양산을 공언한 만큼 개발이 막바지 단계에 이른 것으로 추정된다.

삼성전자는 지난 2022년 업계 최초로 10나노급 5세대(12나노) D램을 개발했으며, 기존에 시스템 반도체 제조에만 사용되던 EUV 공정을 2020년 D램 제조에 처음 적용한 것도 삼성전자였다.

이후 SK하이닉스도 2021년 D램에 EUV 장비를 도입했으며 마이크론 역시 현재 개발 중인 10나노급 6세대 제품부터 EUV 기술을 적용한다.

마이크론은 지난 6월 실적발표에서 EUV를 활용한 1γ(감마·1c에 대응) 공정 시험 제조가 순조롭게 진행되고 있으며 SK하이닉스와 마찬가지로 내년 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다.

8월에 회계연도가 끝나는 마이크론은 다음 달 25일 2024회계연도 실적을 발표하는데, D램 개발과 관련해 새로운 내용을 발표할지 관심이 모인다.

이동주 SK증권 연구원은 "D램은 1a가 메인 공정으로 자리 잡았고 1b, 1c로 전환도 빨라지고 있다"며 "테크 노드 발전에 따른 제조사의 공정 기술 투자비가 지속해 늘어나고 있다"고 분석했다.

트렌드포스에 따르면 지난 2분기 전 세계 D램 시장 점유율은 삼성전자가 42.9%로 1위였으며 SK하이닉스(34.5%)와 마이크론(19.6%)이 뒤를 이었다.

올해 D램 매출은 907억달러로 작년 대비 75% 증가하고, 내년에는 51% 늘어 1천365억달러에 이를 것으로 전망됐다.

hskim@yna.co.kr