삼성전자 린준청 "HBM 16단 개발에 하이브리드 본딩 적용 순항"

차세대 패키징 기술 선점 자신감…HBM 주도권 노린다

"HBM 16단에 TC-NCF·하이브리드 본딩 병행할 것"

(타이베이=연합인포맥스) 김학성 기자 = 고대역폭 메모리(HBM) 16단 제품을 개발하고 있는 삼성전자[005930]가 세계 최초로 하이브리드 본딩을 적용한 시제품을 만들었다고 밝혔다.

첨단 패키징 기술 리더십을 발판 삼아 삼성전자가 HBM 시장에서 주도권 탈환에 성공할지 관심이 모인다.

린준청 삼성전자 부사장은 6일(현지시간) 타이베이 난강구 난강전람관에서 열린 '세미콘 타이완 2024' 이종 집적 글로벌 서밋 기조연설에서 "하이브리드 본딩은 두께와 열 저항 감소 등 다양한 이점이 있다"며 이렇게 밝혔다.

린 부사장은 이날 'HBM 16단 적층: 고성능 컴퓨팅(HPC)·인공지능(AI)·머신러닝(ML) 적용을 위한 하이브리드 구리 본딩'을 주제로 발표에 나섰다.

하이브리드 본딩은 칩과 칩 사이를 범프(미세한 돌기) 없이 구리로 직접 연결하는 차세대 패키징 기술이다. 전기 경로를 줄여 성능을 개선할 수 있으며 용량과 높이, 열효율 측면에서도 유리하다.

린 부사장은 "2018년 글로벌 데이터 사용량은 33제타바이트(ZB)였는데 2023년 120ZB로 늘었고, 2025년에는 181ZB까지 증가할 것"이라며 "메모리가 중요한 이슈가 되고 있다"고 말했다.

그는 이에 따라 메모리 대역폭을 확대하는 데 첨단 패키징의 중요성이 커지고 있다고 짚었다.

린 부사장은 하이브리드 본딩을 본격적으로 적용하기에 앞서 비용과 제조 안정성, 칩 휘어짐 통제 등 과제가 남아 있다며 삼성전자가 이에 잘 대응할 것이라고 밝혔다.

린 부사장은 발표를 마친 뒤 연합인포맥스 기자와 만나 HBM 16단 제품에는 현재 삼성전자가 사용 중인 TC-NCF 방식과 하이브리드 본딩을 병행할 것이며 20단 이후로는 검토 중이라고 말했다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 지난 4일 세미콘 타이완 최고경영자(CEO) 서밋 기조연설에서 16단 이후의 HBM을 대비하기 위해 하이브리드 본딩을 준비하고 있으며 이를 3차원(3D) 집적에 적용하겠다고 밝혔다.

삼성전자는 내년에 HBM4를, 2026년에 HBM4E를 선보일 계획이다.

메모리 반도체 경쟁사인 SK하이닉스[000660]의 이강욱 부사장은 지난 3일 세미콘 타이완 현장에서 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품은 현재 사용하고 있는 어드밴스드 MR-MUF 기술로 양산하고, HBM4 16단 제품은 여기에 더해 하이브리드 본딩까지 준비하고 있다고 말했다.

다만 최근 HBM4 16단 제품에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용할 수 있음을 확인했다며 하이브리드 본딩은 기술 완성도와 양산 인프라 측면에서 해결할 과제가 남아있다고 덧붙였다.

린 부사장은 삼성전자 반도체연구소에서 어드밴스드 패키징(AVP) 개발을 담당하고 있다.

TSMC에서 18년, 마이크론에서 2년간 근무했으며 이후 3년 동안 대만의 반도체 장비 업체 스카이텍의 최고경영자(CEO)를 지냈다. 삼성전자에는 지난해 1월 합류했다.

그는 국립대만과학기술대학에서 화학공학으로 박사 학위를 받았으며 500개 이상의 미국 특허를 보유하고 있다.

hskim@yna.co.kr