삼성 반도체, 또 한 번 '최초' 타이틀…이번엔

1Tb QLC 9세대 V낸드 양산 성공

AI향 기업용 SSD 시장 겨냥

(서울=연합인포맥스) 유수진 기자 = 삼성전자[005930] 반도체가 또 한 번 '최초' 타이틀을 가져갔다. 반도체 업계에서 전례가 없던 '1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드' 양산에 성공했다.

지난 4월 '트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드'를 최초로 선보인 지 4개월여 만에 QLC 제품을 내놓은 것이다. 이를 통해 인공지능(AI) 시대에 급성장이 예상되는 고용량·고성능 낸드플래시 시장에서 제품 리더십을 더욱 공고히 할 전망이다.

12일 삼성전자에 따르면, 회사는 최근 초고용량 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 위한 1Tb QLC 9세대 V낸드 제품을 양산했다.

업계 최초로 9세대 V낸드 TLC와 QLC를 잇달아 출시하며 차세대 낸드 시장에서 경쟁력을 강화하고 있는 모습이다.

삼성의 9세대 V낸드는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용한 더블 스택 구조로, 업계 최고 단수를 구현했다는 특징이 있다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 뒤 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다.

V낸드는 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 게 매우 중요하다. 제품 신뢰성과 밀접한 연관이 있기 때문이다. 삼성전자는 '디자인드 몰드(Designed Mold)' 기술을 활용해 데이터 보존 성능을 전작보다 약 20% 높였다. 디자인드 몰드는 셀을 동작시키는 워드라인(Word Line)의 간격을 조절해 적층하는 기술로, 셀 특성 균일화와 최적화에 유리하다.

특히 이번 QLC 9세대 제품은 셀과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 비트 밀도가 이전 세대 대비 약 86% 증가하도록 했다. 사실상 업계 최고 수준으로 볼 수 있다.

또한 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 기술 혁신으로 쓰기 성능을 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다.

데이터 읽기와 쓰기에 소비되는 전력은 각각 약 30%, 50% 감소했다. 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 비트라인(Bit Line)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'을 적용한 결과다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시(Flash)개발실 부사장은 "9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 양산에 성공해 AI용 고성능·고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다"며 "최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 밝혔다.

sjyoo@yna.co.kr