SK하이닉스, '발열' 해결한 모바일 D램 공급 시작

패키징에 'High-K EMC' 적용…업계 최초

열전도도 3.5배↑·열 저항 47%↓

(서울=연합인포맥스) 유수진 기자 = SK하이닉스가 업계 최초로 발열 문제 해결에 효과적인 모바일 D램을 개발했다.

이를 바탕으로 모바일 시장에서의 점유율을 확대해 나갈지 주목됐다.

SK하이닉스[000660]는 최근 'High-K EMC' 소재를 적용한 고(高)방열 모바일 D램 제품을 개발, 고객사에 공급하기 시작했다고 28일 밝혔다.

EMC는 수분과 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할도 하는 반도체 후공정 필수 재료다. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도도를 높인 것을 의미한다.

SK하이닉스 관계자는 "온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다"면서 "이번 제품은 고사양 플래그십(Flagship) 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높이 평가받고 있다"고 밝혔다.

최신 플래그십 스마트폰은 대부분 두뇌 역할을 하는 '모바일 애플리케이션 프로세서(AP)' 위에 D램을 적층하는 PoP 방식이 적용되고 있다. 각각 다른 반도체 패키지를 위아래로 쌓아 공간 효율과 성능 향상, 조합 유연성을 꾀하는 형태다.

이 구조는 장단이 명확하다. 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상하지만, 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적돼 스마트폰 성능 저하를 야기한다.

SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했다.

그 결과, 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재 High-K EMC를 개발했다.

이를 통해 열전도도를 기존 대비 3.5배 향상했으며, 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다.

향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통한 배터리 지속시간 증가, 제품 수명 연장에도 기여한다. SK하이닉스는 이러한 효과에 기대어 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망했다.

이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 "이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다"면서 "소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다"고 강조했다.

sjyoo@yna.co.kr