SK하이닉스, 차세대 D램 제조 장비 도입…'성능·원가' 잡는다

메모리 업계 최초 'High NA EUV' 도입

기존 EUV 대비 정밀도 1.7배·집적도 2.9배 향상

(서울=연합인포맥스) 유수진 기자 = SK하이닉스가 차세대 D램 제조 장비를 이천 팹에 도입했다.

노광(EUV) 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 '제품 성능'과 '원가 경쟁력'이란 두 마리 토끼를 모두 잡기 위해서다. 이를 통해 고부가 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을지 주목됐다.

SK하이닉스[000660]는 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16 팹(Fab)에 반입하고 기념행사를 진행했다고 3일 밝혔다. High NA EUV 장비 도입은 메모리 업계 최초다.

해당 장비는 기존 EUV보다 더 큰 개구수(NA)를 적용해 해상도를 크게 향상한 차세대 노광 장비다. 현존하는 가장 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있어 선폭 축소 및 집적도 향상에 핵심적인 역할을 한다.

반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고, 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.

SK하이닉스는 지난 2021년 10나노급 4세대 D램에 EUV를 처음 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 정밀한 회로 형성이 가능하고, 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 해당 장비를 활용해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높일 계획이다.

제품 성능과 원가 경쟁력을 확보해 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 공고히 하는 게 목표다.

이날 이천캠퍼스에서 열린 기념식에는 김병찬 ASML코리아 사장과 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장·CTO), 이병기 부사장(제조 기술 담당) 등이 참석했다.

차선용 CTO는 "이번 장비 도입으로 회사가 추진 중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다"며 "급성장하는 인공지능(AI)과 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"고 밝혔다.

sjyoo@yna.co.kr