'메모리 호황'에 공격투자하는 SK하이닉스, 中 투자는 속도조절

(서울=연합인포맥스) 김학성 기자 = '30년 만의 메모리 호황'을 맞아 공격적으로 투자를 확대하고 있는 SK하이닉스[000660]가 중국 사업에서는 속도를 조절하며 대조를 이뤘다.

미중 갈등 심화로 인한 중국 내 장비 반입 규제 강화로 공정 전환이 어려워지는 만큼 투자의 무게 중심을 옮겨가는 것으로 풀이됐다.

4일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 SK하이닉스는 전날 중국 장쑤성 우시 D램 생산법인인 100% 자회사 SK하이닉스 세미컨덕터(차이나)에 대한 현금 출자 기간을 기존 2022년 6월~2025년 12월에서 2022년 6월~2030년 12월로 정정했다.

최초 공시된 2022년과 출자금액이 2조3천940억원으로 같다는 점을 감안하면 연평균 출자금액은 약 6천800억원에서 2천800억원으로 감소한다.

SK하이닉스는 출자 목적이 "우시 생산시설 보완 투자 재원 확보"라고 밝혔는데, 앞으로 연간 투자 규모를 줄인 셈이다.

한국신용평가에 따르면 SK하이닉스의 중국 생산 비중은 D램이 38%, 낸드플래시가 25%다.

업계에서는 이번 출자 일정 연장이 미국의 대중 반도체 장비 수출통제 강화와 맞물렸다고 보고 있다. 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 지난 8월 SK하이닉스와 삼성전자[005930]에 부여했던 검증된 최종 사용자(VEU) 지위를 올해 말 철회한다고 발표했다.

VEU는 일정한 요건을 충족하면 별다른 절차 없이 미국산 반도체 장비를 중국에 반입할 수 있는 제도다. VEU가 철회되면 내년 1월 1일부터 국내 메모리 업체는 중국에 반도체 장비를 반입할 때 미국 상무부로부터 건별로 사전에 승인받아야 한다. 수출 허가 절차가 상시화하면 장비·부품 조달에 상당한 시간이 걸리게 된다. 사실상 중국 내 생산시설의 첨단 공정 전환을 가로막는 조치다.

한국신용평가는 "장기적으로 중국 내 반도체 장비 반입 제한이 지속될 경우 중국 소재 팹의 D램과 낸드 모두 레거시화가 진행되면서 생산능력 저하에 따른 영업실적 하방 요인으로 작용할 수 있다"고 분석했다.

최근 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 인공지능(AI) 메모리 제품 수요가 급증하자 SK하이닉스는 적극적인 증설 투자를 예고했다. 이런 가운데 중국의 지정학적 리스크가 부각되자 국내와 미국 투자 비중이 상대적으로 더 올라갈 수 있다는 분석이 나왔다.

hskim@yna.co.kr