'메모리 호황'에 공격투자하는 SK하이닉스, 中 투자는 속도조절(종합)

(서울=연합인포맥스) 김학성 기자 = '30년 만의 메모리 호황'을 맞아 공격적으로 투자를 확대하고 있는 SK하이닉스[000660]가 중국 사업에서는 속도를 조절하며 대조를 이뤘다.

미중 갈등 심화로 인한 중국 내 장비 반입 규제 강화로 공정 전환이 어려워지는 만큼 투자의 무게 중심을 옮겨가는 것으로 풀이됐다.

4일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 SK하이닉스는 전날 중국 장쑤성 우시 D램 생산법인인 100% 자회사 SK하이닉스 세미컨덕터(차이나)에 대한 현금 출자 기간을 기존 2022년 6월~2025년 12월에서 2022년 6월~2030년 12월로 정정했다.

최초 공시된 2022년과 출자금액이 2조3천940억원으로 같다는 점을 감안하면 연평균 출자금액은 약 6천800억원에서 2천800억원으로 감소한다.

SK하이닉스는 출자 목적이 "우시 생산시설 보완 투자 재원 확보"라고 밝혔는데, 앞으로 연간 투자 규모를 줄인 셈이다.

한국신용평가에 따르면 SK하이닉스의 중국 생산 비중은 D램이 38%, 낸드플래시가 25%다.

SK하이닉스 관계자는 "우시 팹의 안정적 운영과 최적의 투자 집행 시기 등을 전반적으로 고려해 자본금 납입 기한을 변경한 건"이라고 설명했다.

업계에서는 이번 출자 일정 연장이 미국의 대중 반도체 장비 수출통제 강화와 맞물렸다고 보고 있다. 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 지난 8월 SK하이닉스와 삼성전자[005930]에 부여했던 검증된 최종 사용자(VEU) 지위를 올해 말 철회한다고 발표했다.

VEU는 일정한 요건을 충족하면 별다른 절차 없이 미국산 반도체 장비를 중국에 반입할 수 있는 제도다. VEU가 철회되면 내년 1월 1일부터 국내 메모리 업체는 중국에 반도체 장비를 반입할 때 미국 상무부로부터 건별로 사전에 승인받아야 한다. 수출 허가 절차가 상시화하면 장비·부품 조달에 상당한 시간이 걸리게 된다. 사실상 중국 내 생산시설의 첨단 공정 전환을 가로막는 조치다.

한국신용평가는 "장기적으로 중국 내 반도체 장비 반입 제한이 지속될 경우 중국 소재 팹의 D램과 낸드 모두 레거시화가 진행되면서 생산능력 저하에 따른 영업실적 하방 요인으로 작용할 수 있다"고 분석했다.

최근 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 인공지능(AI) 메모리 제품 수요가 급증하자 SK하이닉스는 적극적인 증설 투자를 예고했다. 이런 가운데 중국의 지정학적 리스크가 부각되자 국내와 미국 투자 비중이 상대적으로 더 올라갈 수 있다는 분석이 나왔다.

hskim@yna.co.kr