SK하이닉스, 용인 클러스터 1기 팹에 21.6조 투자 의결(상보)
(서울=연합인포맥스) 윤영숙 기자 = SK하이닉스[000660]가 용인 클러스터 내 반도체 공장 설립을 위해 21조6천억원 규모의 대규모 신규 시설투자에 나선다.
고대역폭메모리(HBM)를 중심으로 한 AI 반도체 수요 급증에 대응해 중장기 생산 인프라를 선제적으로 확충하겠다는 전략이다.
SK하이닉스는 25일 '용인 반도체 클러스터 1기 팹 2~6 단계 건설'을 위해 총 21조6천81억원을 투자하기로 이사회에서 의결했다고 공시했다.
이는 최근 사업연도 말 연결 기준 자기자본(약 73조9천억원)의 29.23%에 해당하는 규모다. 투자 기간은 2026년 3월 1일부터 2030년 12월 31일까지다.
이번 투자는 반도체 수요 증대에 따른 생산 인프라 구축이 목적이다.
특히 AI 서버 확대와 데이터센터 증설에 힘입어 HBM 및 첨단 D램 수요가 구조적으로 늘어나는 상황을 감안한 결정으로 풀이된다.
회사는 지난해 2월 용인클러스터 1기 팹을 착공한 바 있다.
경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모의 부지에 구축될 용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스 팹(약 60만평)과 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지(14만평), 인프라 부지(12만평)로 조성되는 반도체 산업단지다.
SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다.
SK하이닉스는 2024년 7월 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 1기 팹과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정한 바 있다.
이번 결정은 1기 팹의 본격적인 확장 국면에 해당한다.
투자 금액과 일정은 향후 경영환경 및 시장 상황에 따라 일부 변동될 수 있다.
다만 업계는 이번 대규모 집행이 향후 5년 이상 글로벌 메모리 시장 주도권을 유지하기 위한 선제적 포석이라는 데 무게를 두고 있다.
SK하이닉스는 지난해 7월 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 1기 팹과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정했다.
[출처: 연합뉴스 자료사진]
ysyoon@yna.co.kr
윤영숙
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