SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 '1c LPDDR6' 개발

온디바이스 AI 겨냥·세계 최초로 개발 인증 완료

상반기 양산 준비·하반기부터 공급 예정

(서울=연합인포맥스) 윤영숙 기자 = SK하이닉스[000660]가 차세대 모바일 메모리인 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 LPDDR6 D램 개발에 성공했다.

온디바이스 인공지능(AI) 시대에 대응하기 위한 고성능·저전력 메모리 기술 경쟁이 한층 가속될 전망이다.

10일 SK하이닉스에 따르면 회사는 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램 개발을 완료하고 최근 세계 최초로 제품 개발 인증을 마쳤다.

이 제품은 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기에 사용되는 저전력 D램 규격으로, 온디바이스 AI 기능이 탑재된 기기 환경에 최적화된 것이 특징이다.

앞서 SK하이닉스는 지난 1월 미국 라스베이거스에서 열린 CES 전시에서 해당 제품을 공개한 바 있으며, 이번에 개발 인증을 완료하면서 상용화 준비 단계에 들어갔다.

회사는 올해 상반기 내 양산 준비를 마무리하고 하반기부터 글로벌 모바일 고객사를 대상으로 제품 공급을 시작할 계획이다. 이를 통해 온디바이스 AI 환경에 대응하는 범용 메모리 제품 라인업을 강화한다는 전략이다.

이번 1c LPDDR6는 기존 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도와 전력 효율이 모두 개선됐다. 대역폭 확장을 통해 단위 시간당 데이터 전송량을 늘리면서 데이터 처리 속도는 이전 세대보다 약 33% 향상됐다. 동작 속도는 기본 10.7Gbps(초당 10.7기가비트) 이상으로, 기존 LPDDR5X 최대 속도를 넘어서는 수준이다.

전력 효율 역시 크게 개선됐다. 서브 채널 구조와 DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling) 기술을 적용해 이전 세대 대비 전력 소비를 20% 이상 줄였다.

서브 채널 구조는 필요한 데이터 경로만 선택적으로 작동하도록 설계해 불필요한 전력 소모를 최소화하는 방식이다. 여기에 칩의 동작 상황에 따라 전압과 주파수를 조절하는 DVFS 기술을 결합해 성능과 전력 효율을 동시에 높였다.

예를 들어 게임 구동 등 고성능 연산이 필요한 상황에서는 주파수와 전압을 높여 최대 대역폭 성능을 구현하고, 일반적인 사용 환경에서는 이를 낮춰 전력 소비를 줄이는 방식이다.

회사 측은 이러한 기술 적용을 통해 모바일 기기의 배터리 사용 시간이 늘어나고 멀티태스킹 성능도 개선될 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스 관계자는 "앞으로도 고객과 함께 AI 메모리 설루션을 시장에 적시 공급해 온디바이스 AI 사용자들에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라고 말했다.

ysyoon@yna.co.kr