[시사금융용어] HBM4E(7세대 고대역폭 메모리)
◆'HBM4E'는 삼성전자가 실물 칩을 최초로 공개한 7세대 고대역폭 메모리(HBM)다.
HBM4E는 HBM4의 확장형으로, 더 높은 대역폭과 집적도를 구현해 차세대 AI 서버와 초대형 데이터센터를 겨냥한 제품이다.
최근 미국 새너제이에서 열린 '엔비디아 GTC 2026'에서 삼성전자는 HBM4E 제품과 관련 기술을 최초로 공개하며 기술 리더십을 강조했다.
삼성전자는 이번 전시에서 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기술과 파운드리 4나노 기반 설계 역량을 결합한 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다.
삼성전자는 앞서 주요 고객, 사실상 엔비디아에 6세대 제품인 HBM4에 대한 양산 출하를 가장 먼저 시작해 업계의 주목을 받은 바 있다.
이번에 공개된 HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 속도와 최대 4TB/s(초당 테라바이트) 수준의 대역폭을 지원하는 차세대 AI 메모리로, 메모리 설계와 파운드리, 패키징 기술을 결합한 통합 개발 방식이 특징이다.
특히 차세대 패키징 기술인 HCB(Hybrid Copper Bonding·하이브리드구리본딩)를 통해 기존 TCB(열압착접합) 방식보다 열 저항을 20% 이상 낮추고 16단 이상의 고적층 구조 구현 가능성을 제시했다.
삼성전자는 최근 열린 주주총회에서도 정기주주총회장 내 전시 공간에 HBM4 샘플을 배치하고 'HBM4 선제 양산, HBM4E 선도'로 이어지는 AI 메모리 로드맵과 완제품까지 아우르는 사업 경쟁력을 동시에 강조한 바 있다. (디지털뉴스실 장순환 기자)
(서울=연합인포맥스)
장순환
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