SK하이닉스, 용인 '1기 팹' 골조 2단계 공사 8월 본격화…AI 수요 대응 순항

(서울=연합인포맥스) 윤영숙 기자 = SK하이닉스[000660]의 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설이 속도를 내는 모습이다.

14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 조성 중인 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 2단계 골조 공사를 오는 8월부터 본격화할 예정이다.

SK하이닉스는 지난 4월부터 기초공사에 들어간 골조 2단계 공사의 후속 조치로 8월부터 건물 착공에 들어갈 예정이다.

용인 반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원산면 일대에 416만㎡ 규모로 조성되는 반도체 산업단지다. SK하이닉스는 이곳에 최첨단 반도체 팹 4개를 순차적으로 건설할 계획이다.

첫 번째로 조성되는 1기 팹은 2개 골조와 총 6개 클린룸으로 구성된다. SK하이닉스는 지난해 2월 1기 팹의 절반에 해당하는 1단계 기초공사에 들어갔으며, 올해 4월에는 나머지 2단계 기초공사를 시작했다. 2단계 골조에는 클린룸 3개가 들어설 예정이다.

이번 일정은 앞서 확정한 투자 계획에 따른 순차적 공정이다. SK하이닉스는 지난 2월 이사회를 열고 용인 클러스터 1기 팹 페이즈 2~6 건설을 위해 21조6천81억원의 신규 시설투자를 의결했다. 기존 9조4천억원 투자분을 포함하면 1기 팹에만 총 31조원이 투입된다.

투자 기간은 2026년 3월부터 2030년 말까지다. 장비 도입 비용은 이번 투자 금액에 포함되지 않았다.

회사는 당초 2027년 5월로 예정했던 첫 클린룸 오픈 시점을 같은 해 2월로 3개월가량 앞당기기로 했다. 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 첨단 D램 수요가 인공지능(AI) 서버와 데이터센터 증설을 타고 빠르게 늘어나는 데 대응하기 위한 조치다.

업계에서는 AI 인프라 투자 확대가 메모리 공급 부족 우려를 키우면서 주요 업체들의 생산 인프라 확보 경쟁도 빨라지고 있다고 보고 있다. HBM뿐 아니라 범용 D램과 낸드까지 수급 부담이 커지는 만큼 클린룸과 생산 기반을 제때 확보하는 것이 향후 시장 주도권을 가를 핵심 변수로 꼽힌다.

삼성전자도 평택캠퍼스에서 현재 건설 중인 P5 팹1과 동일한 구조의 팹2 착공 시점을 내년 초에서 올해 하반기로 앞당긴 것으로 알려졌다.

ysyoon@yna.co.kr