삼성전자, 세계 최초 HBM4E 12단 샘플 출하…양산 가능성 높아(상보)

HBM4 양산 이어 차세대 제품 공급…1c D램·4나노 로직 다이 적용

(서울=연합인포맥스) 윤영숙 기자 = 삼성전자[005930]가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 12단 제품 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다.

삼성전자는 HBM4 양산 출하에 이어 HBM4E 샘플 공급에 나서며 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 선점을 위한 행보를 본격화했다고 29일 밝혔다.

HBM4E는 HBM4의 후속 제품으로, 차세대 AI 가속기와 대규모 언어모델(LLM) 등 고성능 연산 환경에 적용될 핵심 메모리로 꼽힌다.

삼성전자는 이번 제품에 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이를 적용했다. 전작 HBM4에서 검증한 공정 조합을 기반으로 성능과 전력 효율, 양산 안정성을 동시에 끌어올렸다는 설명이다.

HBM4E 12단 제품은 핀당 14Gbps(1초당 전송되는 기가비트) 속도로 안정적으로 동작하며 최대 16Gbps까지 구현할 수 있다. 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수준이다.

단일 스택 기준 대역폭은 초당 3.6TB(테라바이트)에 달한다. 용량은 48GB로, 전작보다 30% 이상 늘었다.

삼성전자는 향후 고객 수요에 맞춰 32GB 8단, 64GB 16단 제품까지 라인업을 확대할 계획이다.

전력 효율과 열 특성도 개선됐다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 에너지 효율을 전작 대비 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 개선했다고 밝혔다.

AI 데이터센터에서는 메모리 대역폭뿐 아니라 전력 소모와 발열 관리가 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다. 고성능 AI 가속기의 연산량이 빠르게 늘면서 HBM의 성능 개선이 시스템 전체 효율과 직결되고 있기 때문이다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 HBM4E 양산 공급에 나설 예정이다.

회사는 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 아우르는 원스톱 턴키 솔루션을 바탕으로 고객 수요에 대응한다는 방침이다.

HBM은 D램 적층 기술뿐 아니라 베이스 다이 설계, 첨단 패키징, 고객사와의 인증 과정이 모두 중요한 만큼 종합 반도체 역량이 공급 경쟁력으로 이어질 수 있다는 판단이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며, "압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 말했다.

삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공한 뒤 고객사 대상 공급을 확대하고 있다.

삼성전자에 따르면 지난해 12월 HBM4는 최종 인증 단계인 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받았다.

HBM4와 HBM4E 모두 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합을 적용한다는 점에서, 회사는 HBM4E의 양산 전환 가능성도 높게 보고 있다.

ysyoon@yna.co.kr