삼성전자, 대만 컴퓨텍스서 HBM5 실물모형 첫 공개

(서울=연합인포맥스) 한종화 기자 = 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 첫 실물모형(목업)을 공개하며 기술 격차에 대한 의지를 드러냈다.

삼성전자는 2일 대만 '컴퓨텍스 2026' 전시장에서 HBM5 목업을 처음 공개하고 차세대 열관리 기술인 'HPB(Heat Path Block)' 기술 적용 계획도 소개했다.

HPB는 AI 메모리의 고성능화 과정에서 증가하는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, PHY(Physical Layer) 영역에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 설계된 것이 특징이다.

삼성전자의 HBM5 공개는 단순 성능뿐 아니라 데이터 처리 효율과 열관리 기술까지 핵심 경쟁 요소로 부상하는 메모리 반도체 시장에서 삼성이 기술 리더십을 공고히 하겠다는 의지를 나타낸 것으로 평가됐다.

송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 "삼성의 HBM5는 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높인 것이 강점"이라며 "향후 고대역폭·고집적 AI 환경에서 시스템 전반의 효율 향상에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다"고 설명했다.

삼성전자는 이미 HBM4E 제품에 HPB 기술 구현 및 검증을 마쳤다고 강조했다. 실제 기술 적용으로 신뢰성과 패키지 안정성을 높인 것이 HPB 기술의 강점이다.

삼성전자는 HBM5에서 2나노 베이스 다이를 선제적으로 적용하고, HPB도 적용해 제품 성능을 고도화해나갈 계획이다.

삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E 웨이퍼 및 칩셋도 공개했다.

삼성전자 HBM4E는 최선단 '1c D램' 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이가 결합된 구조로, 삼성전자만의 경쟁력이 집약된 제품이다.

지난 5월 29일 삼성전자가 업계 최초로 샘플 출하를 마친 HBM4E는 핀당 14Gbps로 안정적으로 동작하며, 최대 16Gbps(최대 4TB/s 대역폭)까지 구현이 가능하다.

시장조사기관 옴디아에 따르면 HBM 시장 규모는 2026년 약 589억 달러에서 2029년 약 1천983억 달러로 3배 이상 확대될 것으로 전망된다.

송재혁 사장은 "엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획"이라고 설명했다.

jhhan@yna.co.kr