노무라 "中 창신, 2028년 말까지 D램 점유율 18%로 상승"

(서울=연합인포맥스) 박지은 기자 = 메모리 업계의 3대 주요 공급업체에 비해 뒤처져 있음에도 중국 반도체기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 D램 시장 점유율을 확대할 수 있을 것이란 전망이 나왔다.

27일(현지시간) 홍콩사우스차이나모인포스트(SCMP)에 따르면 노무라는 창신메모리의 글로벌 D램 시장 점유율이 현재 약 10%에서 2028년 말까지 약 18%로 상승할 수 있다고 전망했다.

노무라는 이러한 성장이 허페이와 베이징 생산시설의 12인치 웨이퍼 월 생산량이 2025년 말 28만 개에서 2026년 말 35만 개, 2028년 말 55만 개로 증가하고 상하이에서 새로운 생산 라인이 추가됨에 따라 뒷받침될 것이라고 설명했다.

중국 국내 수요도 창신메모리에 기회가 될 것으로 보인다. 중국은 2025년 전 세계 D램 수요의 약 4분의 1을 차지할 것으로 예상되지만, 노무라 추산에 따르면 국내 생산량은 국내 수요의 약 30%만을 충족하고 있다.

뱅크오브아메리카(BofA)에 따르면 6월 중국의 메모리 칩 수입액은 320억 달러로 사상 최고치를 기록했으며 이는 전년 동기 대비 250% 증가한 수치다. 이는 중국 본토의 기기 제조업체와 클라우드 기업들이 고성능 및 저가형 제품 모두에서 한국 공급업체에 지속적으로 의존하고 있음을 보여준다.

다만 노무라는 창신메모리의 주력 생산 기술이 해외 주요 D램 제조업체들에 비해 약 5년 정도 뒤처져 있다고 평가했다.

창신메모리와 글로벌 메모리 업계 선두 기업 간의 핵심적 격차는 인공지능 프로세서에 사용되는 고대역폭메모리(HBM) 분야에서 나타나고 있다. 창신메모리는 현재 HBM에서 수익을 창출하지 못하고 있어 향후 HBM 개발 및 상용화 능력이 업계 상위 업체와의 기술 격차를 좁힐 수 있는지 여부를 가늠하는 중요한 시험대가 될 전망이라고 SCMP는 짚었다.

노무라는 고객 인증에는 시간이 걸리겠지만 창신메모리가 2027년부터 HBM3 양산 능력을 갖출 것으로 예상했다.

장비 및 원자재 수급 역시 또 다른 과제라고 짚었다. 노무라는 창신메모리의 반도체 제조 장비 중 약 40%가 국내에서 조달되고 있다고 추정했는데, 이는 미국 주도의 수출 제한 강화, 특히 첨단 리소그래피 장비와 포토레지스트(PR·감광액)에 대한 수출 제한 강화에 취약하다는 것을 의미한다고 지적했다.

jepark2@yna.co.kr