[출처: 카운터포인트 리서치]
(서울=연합인포맥스) 서영태 기자 = 삼성전자[005930]가 아시아 최대 반도체 행사인 '세미콘 타이완 2026'에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 전략을 발표했다.
최장석 삼성전자 DS(반도체) 부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 1일 대만 타이베이 세미콘 타이완에서 'CUBE' 전략, 즉 용량(Capacity)·최적화(Utilization)·대역(Bandwidth)·효율(Efficiency) 기술 향상으로 메모리 주도권을 강화하겠다고 밝혔다.
최 상무는 메모리를 수직으로 확장해 용량을 늘리고, 로직·메모리 배치를 최적화하겠다고 강조했다. 또한 칩 내 수직 고속도로를 만들어 대역폭을 개선하고, 구조적 효율성을 높여 전력당 성능을 극대화하겠다고 했다.
삼성전자는 HBM5·zHBM·zNAND-O 등 신제품을 통해 더 향상된 성능을 선보이고, 기술 리더십을 이어갈 계획이다.
시장조사기관 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자는 올해 2분기 글로벌 D램 시장에서 매출 기준 39%의 점유율을 기록하며 1위를 차지했다. 같은 기간 낸드 플래시 시장에서도 점유율 29.3%로 글로벌 1위를 기록했다.
생산능력에서도 삼성전자는 업계 최대 규모다. 시장조사기관 옴디아는 삼성전자의 올해 D램 생산능력을 300㎜ 웨이퍼 기준 연간 약 817만5천장으로 전망했다. 이는 SK하이닉스(666만장), 마이크론(360만장)을 상회하는 규모다. 낸드 역시 올해 웨이퍼 생산량은 477만장으로 전망됐다. SK하이닉스·솔리다임 생산량 전망치는 279만장이다.
삼성전자 관계자는 "기술 리더십과 대규모 생산 인프라를 기반으로 범용 D램·낸드부터 HBM·기업용 SSD 등 고부가 AI 메모리까지 시장 수요에 적기 대응하며 글로벌 메모리 시장 주도권을 확대해나가겠다"고 말했다.
ytseo@yna.co.kr
서영태
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