삼성전자, 2028년 D램 제조에 업계 최초 차세대 ASML EUV 도입 추진

ASML 컨소시엄 참여 12인치 포토마스크 공동 개발

(서울=연합인포맥스) 한종화 기자 = 삼성전자[005930]가 업계 최초로 D램 제조에 ASML의 차세대 노광 설비 '하이(High) NA EUV' 도입을 추진하기로 했다.

삼성전자는 네덜란드의 반도체 노광설비 기업 ASML과 2028년까지 첨단 D램 제조에 차세대 노광 설비 'High NA EUV' 도입을 위해 협력하기로 했다고 8일 밝혔다.

High NA EUV는 기존 EUV보다 더 큰 NA를 적용해 해상도를 크게 향상한 차세대 노광 장비다. NA는 렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지 나타내는 수치다.

삼성전자는 "이번 양사의 협력은 High NA EUV 기술이 첨단 메모리 제조에도 적용될 준비가 되었다는 것을 의미한다"며 "더욱 정밀한 패터닝을 통해 D램 미세화 로드맵을 연장하고 공정 단순화와 생산성 제고를 동시에 실현할 수 있을 것"이라고 기대했다.

이와 함께 삼성전자는 ASML의 '대형 마스크 컨소시엄'에 참여해 차세대 12인치 포토 마스크를 공동 개발하기로 했다.

'대형 마스크 컨소시엄'은 현재 반도체 노광설비에 사용되는 6인치 마스크를 12인치로 전환하기 위한 협의체다.

포토 마스크란 미세 회로 패턴을 새긴 정교한 틀로 노광설비 내에서 빛을 통해 웨이퍼에 설계된 패턴을 새기는 필수 도구다.

그동안 반도체 노광 공정에는 6인치 마스크가 사용되어 왔으나 12인치 마스크로 전환할 경우 나누어 새기고 연결하는 작업(stitching)의 제약을 해소할 수 있어 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮출 수 있다.

특히 12인치 마스크를 사용하면 'High NA EUV' 설비의 이점을 온전히 활용할 수 있다.

전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 "AI 시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다"며 "삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고 ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 '넥스트 AI'를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것"이라고 밝혔다.

크리스토프 푸케 ASML CEO는 "삼성전자는 오랜 기간 ASML의 가장 중요한 혁신 파트너 중 하나로 그동안 현대 반도체 제조의 기반이 되는 기술을 함께 발전시켜 왔다"며 "AI가 이끄는 새로운 시대를 맞이하여 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어 가기를 기대한다"고 말했다.

jhhan@yna.co.kr