LPDDR6는 같은 선상…CXMT, 삼성전자·SK하이닉스 턱밑 추격

(서울=연합인포맥스) 한종화 기자 = 범용 D램 제품을 중심으로 삼성전자[005930]와 SK하이닉스[000660]를 추격 중인 중국의 창신메모리(CXMT)가 스마트폰에 주로 들어가는 LPDDR(Low Power DDR) 제품에서는 우리나라 경쟁사들을 사실상 따라잡은 것으로 나타났다.

다만 같은 제품이라고 해도 CXMT의 미세 공정 기술은 공개되지 않아 웨이퍼 당 생산량, 전력 효율 등 실제 제조 경쟁력에는 아직 격차가 있는 것으로 분석됐다.

29일 업계에 따르면 CXMT는 최근 LPDDR6의 정식 양산에 들어갔으며 제품은 샤오미의 폴더블폰 신제품인 '18 폴드'에 탑재될 예정이라고 밝혔다.

LPDDR은 스마트폰·태블릿처럼 전력 공급이 제한된 기기에서 전력 소모와 발열을 최소화하면서 작동하도록 설계된 메모리다. LPDDR4, LPDDR4X, LPDDR5, LPDDR5X, LPDDR6 순으로 발전해왔다.

CXMT는 지난해 10월 LPDDR5X 양산을 발표했고, 1년이 채 지나지 않아 LPDDR6을 양산한다고 밝혔다. CXMT의 LPDDR6 양산은 삼성전자와 SK하이닉스와 비교해서도 크게 뒤처지지 않는 속도다.

삼성전자는 지난 23일 16기가바이트(GB) LPDDR6을 업계 최초로 퀄컴의 '스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대' 플랫폼에서 검증하는 데 성공했다고 밝혔다.

SK하이닉스는 지난 3월 10나노(㎚)급 6세대(1c) 공정을 적용한 16기가비트(Gb) LPDDR6 D램 개발에 성공했고, 상반기에 양산 준비를 마치고 하반기부터 제품을 공급하겠다고 발표했다.

CXMT는 최근 반기보고서를 통해 자사 LPDDR6이 최고 속도 12.8Gbps에 최고 용량은 16Gb(기가비트)라고 설명했다.

삼성전자가 퀄컴과 검증한 LPDDR6은 최대 10.7Gbps의 입출력(I/O) 속도를 나타냈다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스의 LPDDR도 10.7Gbps 이상의 성능을 보인다.

양산과 입출력 속도에는 큰 차이가 없지만 미세공정에서는 CXMT가 아직 뒤처져 있는 것으로 분석됐다.

트렌드포스에 따르면 삼성전자는 LPDDR6에 10나노급 1b 공정을 사용했고, SK하이닉스는 10나노급 1c 공정을 사용했다.

1c 공정은 10나노 초반대 공정으로, 이전 세대인 1b 공정보다 선폭이 더 미세하다. 반면 CXMT의 미세 공정 수준은 공개되지 않았다.

업계에서는 CXMT가 현재 15~16나노급 공정을 기반으로 LPDDR6을 생산하는 것으로 보고 있다.

미세공정 차이는 생산성 격차로 이어진다. 삼성전자와 SK하이닉스는 첨단 공정에서 12인치(300㎜) 웨이퍼 한 장당 약 2천개의 D램 다이를 생산할 수 있는 것으로 알려져 있다.

반면 CXMT는 약 700~800개 수준에 그치는 것으로 추정된다.

트렌드포스는 "LPDDR6 경쟁이 달아오르고 있다"면서도 "급증하는 메모리칩 비용 때문에 스마트폰 제조사들은 LPDDR6와 이미 검증된 LPDDR5X 사이에서 고민하게 될 것"이라고 설명했다.

jhhan@yna.co.kr