머스크 "中, 범용 D램 추격 빠르지만…HBM·3D 적층은 어려워"
(서울=연합인포맥스) 이재헌 기자 = 일론 머스크 테슬라(NAS:TSLA) 최고경영자(CEO)가 중국의 대규모 양산 능력이 범용 메모리 시장을 위협할 수 있지만, 최신 고대역폭메모리(HBM)와 3D 적층 등 첨단 영역은 추격이 어려울 것이라고 진단했다.
[출처: 엑스(X·옛 트위터)]
머스크 CEO는 12일(현지시간) 엑스(X·옛 트위터)에 "중국이 어떤 제품의 제조법을 터득하면, 그 양산 능력은 나머지 세계를 합친 것보다 큰 경우가 많다"며 "리튬 배터리와 태양광에서 이를 목격했다"고 적었다.
이는 중국 창신메모리(CXMT)(SHS:688825)가 차세대 4F²D램 구조 개발 성과를 발표한 뒤 마이크론과 SK하이닉스 등 메모리주가 급락하자, 매도가 과도하다는 한 투자자의 게시물에 단 답글이다.
머스크 CEO는 스페이스X를 드문 예외로 꼽았다. 스페이스X의 궤도 수송량은 나머지 세계의 약 10배에 이르지만, 스페이스X를 제외한 수송량에서는 이미 중국이 과반을 차지하고 있다고 했다.
메모리에 대해서는 "RAM은 다를 수도 있다"면서도 "RAM은 불과 3년 전만 해도 마진이 낮은 범용 상품이었다"고 소개했다. 이어 "LPDDR5와 LPDDR6는 공통 표준에 맞춰 설계되는데, 중국이 이를 빠르게 풀어내고 있는 것으로 보인다"고 밝혔다.
다만 그는 "신형 HBM 아키텍처, 로직 아래에 SRAM 층을 두는 구조, 로직을 냉각하면서 그 위에 메모리를 3D로 쌓는 기술 등은 풀기 더 어려울 것"이라고 내다봤다.
jhlee2@yna.co.kr
이재헌
jhlee2@yna.co.kr
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