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中 CXMT 차세대 D램 기술 진전에도 전문가들 '비관적'

26.10.15.
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[연합뉴스 사진 제공]

(서울=연합인포맥스) 박지은 기자 = 중국 메모리 반도체기업 창신메모리테크놀로지스(CXMT)가 차세대 D램 설계 기술에서 진전을 이뤘다고 발표한 가운데 전문가들은 삼성전자와 SK하이닉스 등 기존 반도체 선두 기업들이 경쟁력을 유지할 수 있다고 진단했다.

14일 닛케이 아시아에 따르면 노무라의 정창원 선임 애널리스트는 "CXMT는 미국의 장비 판매 제한 때문에 쉬운 해결책이 없다"며 "한국 기업들은 활용할 수 있는 쉬운 방법들이 있으며, 이를 모두 소진한 뒤 더 어려운 과제에 도전해야 할 것"이라고 말했다.

앞서 차오칸위 CXMT 사장은 상하이 반도체 행사에서 차세대 메모리 셀 구조인 '4F²'와 관련해 핵심적인 기술 진전을 이뤘다고 밝혔다.

D램은 셀이라는 단위에 데이터를 저장하는데 4F² 구조는 현재 주로 사용되는 6F² 구조보다 셀 하나가 차지하는 면적을 줄여 같은 크기의 칩에 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 한다. 4F²로의 전환은 업계가 2000년대 중반 8F²에서 6F²로 옮겨간 이후 처음 이뤄지는 셀 구조 변화다.

정 애널리스트는 "마땅한 해결책이 없는 상황에서, CXMT는 멀티패터닝을 도입하거나 4F² 기술을 앞당겨 적용하는 등 임시방편에 의존하고 있다"고 평가했다.

또 CXMT가 양산 과정에서 발열 문제를 해결할 수 있을지도 검증이 필요하다는 분석도 제기된다.

한국 반도체 기업의 한 임원은 고밀도 구조에서 발생하는 열을 제어하고 이를 효과적으로 방출하는 문제가 4F²와 3D D램 등 새로운 구조를 구현할 때 반도체 제조사들이 직면하는 가장 어려운 과제 중 하나라며 "CXMT가 성공적으로 생산량을 늘리고 양산 과정에서 발열 문제를 해결할 수 있을지는 아직 지켜봐야 한다"고 말했다.

한편, 삼성전자와 SK하이닉스 역시 4F² 기술을 개발하고 있다. SK하이닉스는 지난해 차세대 제품에 4F² 수직 게이트(VG) 플랫폼을 도입할 계획을 밝힌 바 있고, 삼성전자 역시 4F² 구조를 개발 중인 것으로 알려졌다.

jepark2@yna.co.kr

박지은

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