(서울=연합인포맥스) 한종화 기자 = SK하이닉스[000660]가 D램 반도체의 4F스퀘어(²) 구조는 차세대 로드맵이며 현재 단계에서는 6F²구조를 최대한 활용하겠다고 밝혔다.
SK하이닉스는 28일 3분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "성숙도와 안정적인 테크 플랫폼 운영을 통해 기존 6F²를 구조를 최대한 활용하고, 이후 4F²또는 3차원(3D) D램 플랫폼으로 전환하는 기술 개발을 진행하고 있다"고 설명했다.
4F²는 기존 6F²대비 셀 면적을 줄여서 집적도를 높이는 차세대 D램 기술이다.
중국의 창신메모리(CXMT)는 지난 10일 4F²셀 구조를 적용한 서버용 DDR5 메모리 모듈을 연내 선보이겠다고 밝혀 시장을 놀라게 했다.
SK하이닉스는 "극자외선(EUV) 기반의 미세화 공정 혁신을 통해 현재의 6F²플랫폼을 추가로 확장할 수 있는 기술적 여력을 확보하고 있다"며 "현시점에서는 양산 안정성과 원가 경쟁력의 검증된 플랫폼을 최대한 활용해 제품 경쟁력을 높이는 것이 가장 효율적인 전략이라고 판단한다"고 강조했다.
이어 "새로운 셀 구조를 실제 제품에 적용하기 위해서는 성능뿐 아니라 수율과 신뢰성, 원가 경쟁력을 두루 확보하고 제품 설계와 고객 평가까지 거쳐야 한다"며 "그렇기 때문에 기술 구현과 실제 상용화 시점은 구분해서 볼 필요가 있다"고 덧붙였다.
SK하이닉스는 "SK하이닉스는 기존 D램의 '익스트림 스케일링'부터 4F²와 3D D램까지 단계별 기술 로드맵을 준비하고 있고, 각 기술의 완성도와 경제성을 확보하는 시점에 맞춰 적합한 제품에 적용해 나갈 계획"이라고 설명했다.
(허페이=연합뉴스) 이봉석 기자 = 지난 20일 개막해 23일까지 중국 안후이성 성도인 허페이시 빈후국제컨벤션센터에서 열리는 '2026 세계제조업대회'에 전시된 CXMT 반도체 제품. 2026.9.23 anfour@yna.co.kr
jhhan@yna.co.kr
한종화
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