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- 삼성전자 vs. CXMT: 5~7년 기술 격차, 좁혀지지 않는 경쟁력
- CXMT, D램 신기술 공개: 상업적 경쟁력은 별개, 수요 형성되지 않은 시장
- 과도한 중국 우려: 추격 속도 상회하는 삼성의 기술 진입 장벽
■ 삼성전자 vs.
CXMT: 5~7년 기술 격차, 좁혀지지 않는 경쟁력
ㅡ 삼성전자와 중국 CXMT의 D램 공정 기술 격차는 양산 시점을 기준으로 5~7년에 달하는 것으로 판단된다.
CXMT의 현 주력 공정인 1z의 경우 삼성전자는 이미 2019년 9월 본격적인 양산을 시작했다.
또한 CXMT가 2026년 9월 양산에 착수한 1a 공정 역시 삼성전자는 2021년 10월부터 양산을 시작해 약 5년의 시차가 존재한다.
특히 삼성전자는 선단 공정의 양산 경험과 수율 안정화, 고객사 인증 등에서 축적된 경쟁력을 확보하고 있어 중국의 기술 격차 축소 가능성은 제한적일 전망이다.
■ CXMT, D램 신기술 공개: 상업적 경쟁력은 별개, 수요 형성되지 않은 시장
ㅡ CXMT가 공개한 4F² 구조 D램은 중국의 기술적 진전을 보여준 사례지만, 이를 실질적인 시장 경쟁력 확보로 해석하기는 이르다.
신기술 상용화를 위해서는 성능과 수율, 원가 경쟁력, 고객사 인증 및 대량 양산 능력에 대한 검증이 선행되어야 하기 때문이다.
특히 4F² 구조 D램은 아직 상업적 수요와 시장 형성이 가시화되지 않은 상태다.
더욱이 삼성전자는 2023년 이미 4F² 기반 수직 채널 트랜지스터 구현을 통해 관련 기술을 발표한 바 있으나, 현재 수요가 없어 시장이 미 형성된 상태다.
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