GAA

gate-all-around

GAA는 반도체 미세화의 한계를 극복하기 위해 도입된 차세대 트랜지스터 구조로, 3나노미터(nm) 이하의 초미세 공정에서 핵심적인 역할을 한다.

트랜지스터는 전류의 흐름을 조절하는 스위치 역할을 하는데, 그 중심에는 ‘게이트(gate)’와 ‘채널(channel)’이라는 구조가 있다. GAA는 이 채널을 네 면에서 게이트가 감싸는 방식으로 설계돼, 전류의 흐름을 더 정밀하게 제어할 수 있다.

이 구조를 활용하면 누설전류를 크게 줄일 수 있어, 전력 효율이 높아지고 발열도 줄어드는 효과가 있다.

또한, GAA 기술은 CPU, GPU, HBM(고대역폭 메모리) 같은 주요 반도체 구성 요소를 수직으로 쌓는 3D 구조와 결합할 수 있어, 처리 속도와 데이터 처리 용량을 획기적으로 끌어올릴 수 있다.