GAA

gate-all-around

GAA는 반도체 미세화의 한계를 극복하기 위해 도입된 차세대 트랜지스터 구조로, 3나노미터(nm) 이하의 초미세 공정에서 핵심적인 역할을 한다.

트랜지스터는 전류의 흐름을 조절하는 스위치 역할을 하는데, 그 중심에는 '게이트(gate)'와 '채널(channel)'이라는 구조가 있다. GAA는 이 채널을 네 면에서 게이트가 감싸는 방식으로 설계돼, 전류의 흐름을 더 정밀하게 제어할 수 있다.

이 구조를 활용하면 누설전류를 크게 줄일 수 있어, 전력 효율이 높아지고 발열도 줄어드는 효과가 있다. 다만 공정 난도가 높아 수율 확보가 까다롭다는 점이 상용화의 과제로 꼽힌다.

한편 GAA를 위아래로 쌓아 트랜지스터를 3차원화하는 CFET(상보형전계효과트랜지스터)가 차세대 후속 기술로 연구되고 있으나, 아직 연구개발 단계에 머물러 있다.