Re램
resistance random access memory
재료 스스로 저항하는 성질을 가지는 실리콘 옥사이드를 이용해 기억을 저장하는 메모리 반도체.
낸드에 비해 속도가 20배 이상 빠르고 수명은 10배 이상 길다. 인텔이 의욕적으로 내놓은 3D 크로스포인트는 P램의 일종이다
resistance random access memory
재료 스스로 저항하는 성질을 가지는 실리콘 옥사이드를 이용해 기억을 저장하는 메모리 반도체.
낸드에 비해 속도가 20배 이상 빠르고 수명은 10배 이상 길다. 인텔이 의욕적으로 내놓은 3D 크로스포인트는 P램의 일종이다