중성자 핵변환 도핑 반도체
neutron transmutation-doped semiconductor
부도체인 고순도의 실리콘(Si) 단결정에 중성자를 쪼여 실리콘 원자핵 중 극미량을 인(P)으로 핵변환시키는 중성자 핵변환 도핑(NTD)기술을 이용해 만든 반도체. 실리콘 내의 인(P)의 분포가 고를수록 더 높은 전압과 전류에 사용할 수 있는데 중성자 핵변환 도핑 기술을 이용하면 실리콘에 인을 직접 투입하는 일반적인 화학공정보다 인이 균일하게 분포돼 고속전철, 하이브리드 자동차의 인버터(inverter) 등 고가의 대전력용 반도체 소자 제조에 이용된다.
