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3차원 수직구조 낸드

3D V-NAND

V낸드는 종전까지 수평 구조로 만들던 2차원 셀을 3차원 수직 구조로 쌓아올려 평면구조에 비해 집적도를 획기적으로 높인 기술이다. 최근 메모리 공정이 10나노급까지 진입하면서 셀 간 간격이 좁아져 전자가 누설되는 "간섭 협상"이 심화되는 등 미세화 기술은 한계에 도달했는데 V낸드는 이를 극복하기 위한 대안으로 떠오른 것이다.

V낸드는 셀 간의 간섭이 크게 줄어 쓰기속도와 수명, 전력효율이 크게 개선한 것으로 2013년 8월 6일 삼성전자가 세계최초로 수직구조 낸드(3D V낸드) 양산에 성공했다고 발표했다. 삼성전자가 양산한 V낸드 제품에 독자기술인 "3차원 원통형 CTF 셀구조"와 "3차원 수직적층 공정" 기술을 동시에 적용, 기존 20나노급 대비 집적도를 2배 이상 끌어올렸다.

3차원 원통형 CTF셀구조는 고층빌딩처럼 수직 24단을 쌓는 것으로, 전하를 안정적인 부도체에 저장해 위 아래 셀 간 간섭 영향을 줄여준다. 이를 통해 쓰기속도는 2배, 셀 수명인 쓰기 횟수는 제품별로 최소 2배에서 최대 10배까지 높일 수 있다. 소비전력은 절반으로 낮춰준다. 3차원 수직적층 공정은 더 작은 칩 면적에서 최고 집적도를 실현하는 기술이다. 삼성전자는 높은 단에서 낮은 단으로 구멍을 뚫어 전극을 연결하는 "에칭" 기술과 각 단 홀에 수직 셀을 만드는 게이트 패턴 기술 등을 개발했다. 삼성전자 외에 SK하이닉스도 2014년께 V낸드를 양산할 예정이다.

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소득불평등 지표

지니계수, 십분위분배율, 로렌츠곡선, 역U자형가설은 모두 소득불평등과 관련된 경제용어다. 지니계수는 이탈리아 통계·사회학자 지니가 만든 것으로, 소득 불평등 정도를 수치화한 지표다. 빈부 격차와 계층 간 소득 분포의 불균형 정도를 나타내는 수치로, 소득이 어느 정도 균등하게 분배돼 있는지를 파악하는 데 주로 사용된다. 근로소득, 사업소득은 물론 부동산, 금융자산 등의 자산 분배 정도를 알 수 있다. 지니계수는 0과 1사이의 값을 가지며, 0에 가까울수록 소득분배가 평등하다는 의미다. 십분위분배율은 한 나라의 모든 가구를 소득 크기에 따라 10등분해 상위 20% 소득에 대한 하위 40% 계층의 소득비율을 말한다. 따라서 완전히 평등한 나라라면 십분위분배율은 2, 완전히 불평등하다면 십분위분배율은 0이 된다.

로렌츠곡선은 미국 통계학자 M 로렌츠가 고안한 것으로, 사람들은 순서에 따라 소득을 매기고 가로축에는 인구에 따라 누적하며 세로축에는 소득 계층에 따라 누적한다. 45도의 선은 누적인구와 누적소득이 같은 비율로 증가하기 때문에 완전한 평등을 나타낸다. 완전평등선과 로렌츠곡선 사이의 면적이 커질수록 불평등이 심하다는 뜻이다(그래프 참고). 쿠츠네츠의 역U자형가설은 경제성장 초기 단계에는 불평등이 악화되지만 성숙 단계에 들어서면 소득 분배가 개선된다는 이론이다.