고대역폭 플래시메모리

High Bandwidth Flash

HBF는 낸드플래시(NAND) 다이를 TSV 등 3D 적층·고밀도 패키징 기술로 수직 연결해 병렬 데이터 경로를 늘리고, HBM 옆에서 대역폭에 근접한 데이터 공급과 대용량을 동시에 노리는 차세대 메모리(또는 메모리-인접 스토리지) 계층이다.

HBF는 ‘D램(HBM) 대체’가 아니라 HBM을 보완하는 대용량 계층이라는 점이 핵심이다. HBM은 대역폭이 뛰어나지만 용량 확대에 제약이 있고, 기존 NAND는 용량은 크지만 메모리 버스 관점에서 지연시간·대역폭이 약점이었다. HBF는 NAND를 적층해 **용량을 HBM 대비 수배~한 자릿수 후반 배(예: 8~16배 수준 목표로 거론)**까지 키우는 방향을 지향하면서, 대역폭도 끌어올려 AI 추론(inference)에서 필요한 대규모 데이터(모델·프롬프트·멀티모달 입력)를 더 효율적으로 공급하려는 접근이다. 다만 NAND 기반 특성상 지연시간(latency)은 DRAM보다 불리할 수 있어, “HBM을 대체하는 메모리”가 아니라 “HBM 병목을 완화하는 보조 계층”으로 보는 게 정확하다.