반도체 주가전망

HBM4, 가격 프리미엄 30% 전망

■HBM4, 3E 대비 30% ASP 프리미엄 전망

ㅡ HBM4는 직전 세대인 HBM3E 대비 30% 단가 인상이 예상된다.
단가 인상은 제조 비용의 증가가 원인인데, ① 기존 1b DRAM 메모리 웨이퍼 비용이 약 2,000~2,500 달러인 반면, TSMC에서 생산하는 HBM4 로직 웨이퍼는 약 7,000~8,000 달러로 기존 대비 3~4배 증가한다.
② 또한 I/O 채널의 증가 (1,024개 → 2,048개)로 인해 범프와 적층 공정의 난이도가 상승하며, ③ HBM4 다이 크기가 HBM3E 대비 15~20% 증가할 전망이다.
이에 따라 HBM3E 출시 당시 20%의 ASP 상승에 반해, HBM4는 30% 이상의 단가 인상이 예상된다.

■2025년 하반기, HBM4 샘플 공급 예정

ㅡ HBM 선두 업체인 SK하이닉스는 D1b 공정을 유지하며, TSMC의 12nm 로직 칩을 활용할 전망이다.
고객 샘플은 2025년 3분기 공급 예정이며, 엔비디아 (Nvidia, NVDA US)의 Rubin 시리즈에 탑재될 것으로 예상된다.
마이크론 또한 D1b 공정과 베이스다이의 경우 메모리 아키텍처를 유지하며 상대적으로 가격 경쟁력이 상존할 것으로 예상된다.
마이크론은 2025년 4분기에 고객 샘플을 출시할 것으로 전망된다.
삼성전자는 D1c 공정으로 전환하며 (HBM3E D1a에서 상향), 베이스 다이는 삼성전자의 4nm 공정을 적용할 전망이다.